半导体行业和太阳能源开发行业高纯度特种化学品

来源：Seebio.cn作者：西宝生物人气：-发表时间：2012-02-09 11:42:00【大中小】

日本和光纯药株式会社成立于1922年，是一家专门提供高纯度化学试剂的科技公司。其中化成品部提供一系列的高纯度特种化学品供应给半导体行业和太阳能源开发行业使用。

高性能蚀刻液

产品名称	特征	适用于
混酸铝	乙酸/硝酸/磷酸混合液	Ai配线
Au-Etchant	KI/I₂混合液	Au电极 Au Bump
50%ACN	50%硝酸（IV）氨水溶液	鉻涂层
ITO-Etchant	高浸润性草酸水溶液	ITO透明电极
HHED	混合液	聚酰亚胺，层间绝缘膜
TWL-I & II	Ti膜或Ti/W合金膜选择蚀刻液 I: 过氧化氢制剂 II: 碱制剂使用时混合	Pb焊接-Bump工序
TWL-I & II		无铅Solder-Bump工序
TWL-I & II		Al线的接地线（Ti/W）膜
SWAT-200S	含添加剂的氢氧化钠水溶液	抑制胶片表面不纯物金属离子的吸附，维护表面洁净
SWATch-300P	添加剂的氢氧化钾溶液（添加剂种类不同）	胶片制造，再生时抛光工序后的碱处理，洗涤
KOH-40S	添加剂的氢氧化钾溶液（添加剂种类不同）	浆料pH值调整
SUN-X1200	具有晶体结构形成能力的氢氧化钾溶液	太阳能电池

高纯度，高性能有机酸系洗净剂

产品名称	特征	适用于
CA-HP-02	高纯度 2%柠檬酸溶液	各种洗涤剂添加剂，原料不纯物金属离子去除洗涤剂（胶片制造，再生工程）
CA-HP-10	高纯度 10%柠檬酸溶液
CA-HP-30	高纯度 30%柠檬酸溶液
WCA-30S	高纯度，高浸润性
CIREX	高纯度，高性能柠檬酸溶液最适用于去除不纯物金属离子	去除不纯物金属离子洗净剂 Al-CMP后洗净剂 W-CMP后洗净剂
CIREX-C15	高纯度，高性能柠檬酸溶液最适用于去除不纯物金属离子	去除不纯物金属离子洗净剂 Al-CMP后洗净剂 W-CMP后洗净剂
CLEAN-100	高纯度，高性能柠檬酸溶液颗粒和不纯物金属离子经一次洗涤即可同时去除	CMP后洗涤剂适合去除Cu-CMP后不纯物金属离子的洗涤剂 Cu/low-k CMP后洗净剂
CAX-200
CLEAN-200LK
CLEAN-300LK
WCP-1000 （Acid Type）酸性	高性能洗净剂	CMP后洗净剂最适用于去除各种缺陷失误 Cu/low-k CMP后洗净剂
WCP-2000 (AlkalineType) 碱性	高性能洗净剂	CMP后洗净剂最适用于去除各种缺陷失误 Cu/low-k CMP后洗净剂

高性能非离子表面活性剂

产品名称	特征	适用于
NCW-1001	低温使用	改善溶液浸润性的添加剂
NCW-1002	低粘性	各种工具的洗净剂

高纯度，高性能过氧化氢水

产品名称	特征	适用于
HQ	高纯度级别，不纯物金属离子含量：max. 0.1ppb	RCA洗涤液各种蚀刻液原料
HIRINPER-HP	高纯度级别，不纯物金属离子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金属离子的吸附和污染	利用本液可同时洗涤去除RCA（APM）溶液中的颗粒和不纯物金属离子
HIRINPER-SP	高纯度级别，不纯物金属离子含量：max. 0.1ppb 能有效抑制金属离子的吸附和污染	利用本液可同时洗涤去除RCA（APM）溶液中的颗粒和不纯物金属离子

有机光电材料，合成试剂

Boronic Acid	Phenanthroline
Azulene，Tropplone	Anthraquinone
Diphenylamine	Fluorene，Dibenzothiophene，Carbazole
Biphenyl，Arylamine，Arylhalide	Polycyclic Aromatic Hydrocarbons
Qninoline，Isoquinoline	Deuterated Chemical Compound

太阳能最新产品——太阳能电池材料碱性蚀刻液:SUN-X系列

硅蚀刻液可令硅结晶型太阳能电池表面形成金字塔状细微纹理结构，用于降低反射率。一般作为蚀刻液的是IPA-碱混合液。不过，本公司此次开发了作为不含IPA 的太阳能电池硅片蚀刻液的「SUN-X 系列」。下面请由我为各位做「SUN-X 系列」的简单介绍。

☆ SUN-X系列基本原理

1) 与环境保护相对应
不使用IPA
SUN-X 成分仅含低挥发性化合物与水

＜沸点＞

SUN-X添加物	200℃以上
IPA	82.4℃

→减少大气污染

2) 高产量
比较使用SUN-X和碱/IPA做硅片蚀刻时的代表性条件。
＜蚀刻液的使用条件＞

蚀刻液	SUN-Xs	碱性/IPA
使用时溶液的配制方法	3倍稀释	按设定量混合
蚀刻方法	浸泡	浸泡
温度（℃）	80	55~80
时间（分钟/）	20~30	45~60
组成的稳定性	稳定	不稳定

● 使用IPA时，会发生挥发，需要时时添加，无法保持一定的浓度。
● SUN-X 系列仅可用水稀释3倍。
● 与之前方法相比，蚀刻的处理时间有望是之前的一半以下。

3）容易控制纹理形状、大小

● 一般而言，受光影响，硅片表面会吸收75%能量，反射25%能量。
被反射的光再被旁边的纹理表面吸收。
● 高低纹理相连接，反射的光就不能被吸收而会损失。
● 虽然纹路小的纹理可以很好地吸收光，但俯视图可看到还是有一部分光损失于纹理中。
● 因此，纹理的形状和大小对吸收效果的好坏（提高低反射率）有很大的影响。使用SUN-X，可形成均匀的纹理。
● 分开使用药液，可调整纹理大小。
● 使用SUN-X 600 得到的纹理尺寸约为6～8μm、使用SUN-X 1200得到的纹理尺寸约为12μm。

蚀刻液与能量转换效率